来中国投资超100亿这家全球知名晶圆代工厂终于想通了！

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　　2月10日，全球第二大晶圆代工厂GlobalFoudries12英寸晶圆成都制造基地项目，在，在成都高新区正式签约并举行开工仪式。据悉，GlobalFoudries12英寸晶圆成都制造基地项目投资规模将累计超过100亿美元，该基地将建设中国西南地区首条12英寸晶圆生产线，这也将是GlobalFoudries在中国最大和最先进的晶圆制造基地。

　　此次落户成都高新区的格罗方德12英寸晶圆生产基地，将分两期建设。一期建设主流CMOS工艺12英寸晶圆生产线年底投产;二期建设格罗方德最新的22FDX®22nm FD-SOI工艺12英寸晶圆生产线年第四季度投产。

　　晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC芯片就越多，但对材料技术和生产技术的要求更高。有报告显示，截至2015年底，12英寸晶圆占据全球晶圆产能的63.1%，预测到2020年该比例将增加至68%。因此，全球晶圆产能到2020年都将延续以12英寸晶圆“称霸”的态势。

　　格罗方德首席执行官桑杰·贾(Sanjay Jha)在开工仪式上表示，此次在成都高新区建设的12英寸晶圆成都制造基地项目，将是该公司在中国最大和最先进的12英寸晶圆厂。而之所以选择成都，与成都雄厚的基础实力和广阔的发展前景密切相关。

　　在集成电路产业链布局方面，以成都高新区为核心聚集区，成都已成功吸引包括英特尔、德州仪器、AMD、联发科、展讯等在内的重点企业布局，形成了从IC设计、晶圆制造到IC封装测试的完整产业链。

　　成都高新区相关负责人表示，格罗方德成都项目的开工契合《国家集成电路产业发展推进纲要》，填补了中国西南地区12英寸先进工艺晶圆生产项目的空白，将进一步壮大成都电子信息产业规模，有效提升成都集成电路产业发展生态，助推成都打造全球知名集成电路产业基地。

　　很遗憾，Intel刚刚宣布的8代酷睿处理器依然是14nm工艺，虽然Intel号称有着15%的性能提升。那么我们不禁要问，Intel的10nm怎么了？

　　先就本次投资会议，Intel表示，数据中心所用的Xeon高端多核处理器将首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾证实，搭载10nm芯片笔记本产品会在今年底出货。

　　这其实不难理解。由于8代酷睿还是下半年上市，局面很可能是对i7/i5/i3进行换代，对用户选购U/Y系列的10nm笔记本芯片以及大客户的Xeon不造成冲击。同时，Intel再次对手的10nm做“看扁”，毫不掩饰对自家14nm优秀的自豪。

　　根据Intel的PPT，就逻辑单元这一核心指标来看，它们2014年研发出来的第一代14nm FinFET（即Broadwell所用）和去年三星/台积电的10nm看齐，也就是Intel 14nm=三星10nm,Intel领先了整整三年。

　　美国高通公司和TDK公司宣布，先前宣布的合资企业—RF360控股新加坡有限公司（RF360 Holdings）已筹备完成。 此合资企业将协助高通射频前端（RFFE）业务部门为行动终端和新兴业务领域（例如物联网IoT、汽车应用和连网运算等）提供射频前端模块和射频滤波器的完全整合系统。

　　其中所转移的业务也成为TDK SAW业务集团（TDK SAW Business Group）整体业务的一部分。RF360控股公司将为行动装置、汽车和物联网提供射频前端模块和射频滤波器的完全整合系统。

　　高通技术公司执行副总裁暨QCT总裁Cristiano Amon表示：“行动通讯正在拓展至多个产业，而多载波4G技术的布建也达到了前所未有的规模，目前已使用超过65个3GPP定义的频段。 面对这些趋势，无线解决方案制造商力求在微型化、整合性和效能方面实现更高水平，特别是对于这些终端装置中的射频前端组件。此外，5G的复杂程度也将大为提升，因此，为生态系统提供真正完整的解决方案，对于协助客户及时且规模化地推出行动解决方案就显得至关重要。”

　　高通技术公司将与RF360控股公司一起在完全整合的系统中设计和提供包含从调制解调器/收发器到天线等具备端到端性能和全球规模性的产品。

　　RF360控股公司将拥有包括表面声波（SAW）、温度补偿表面声波（TC-SAW）和体声波（BAW）在内的一系列全面性的滤波器和滤波技术，以支持全球网络中正在布建的广泛频段。 此外，RF360控股公司也将协助高通技术公司提供包含由高通技术公司设计及开发的前端组件的射频前端模块。 上述组件包括CMOS、绝缘上覆硅（SOI）与砷化镓（GaAs）功率放大器、广泛的切换器产品组合、天线调谐、低噪声放大器（LNA）以及领先业界的封包追踪解决方案。

　　除上述合资企业外，高通与TDK亦将深化技术合作，涵盖新一代行动通讯、物联网和汽车应用等一系列广泛的技术。

　　TDK公司总裁暨执行长ShigenaoIshiguro表示：“与高通进行更深入的合作正符合我们一直以来的策略。 合作旨在为TDK创造令人兴奋的全新商机，同时在颇具吸引力的未来市场增强公司的创新力以及竞争力，例如传感器、微机电系统（MEMS）、无线充电和电池等。 我们的客户将明显受益于由此所产生的独特且全面性的技术与产品组合。 ”

　　新浪科技讯 北京时间2月10日早间消息，得益于图形芯片需求增加和无人驾驶系统及人工智能等领域的快速增长，英伟达的营收连续第二个季度增幅超过50%，并超出分析师预期。该公司还预计本季度营收为19亿美元，正负区间为2%，略高于分析师18.8亿美元的平均预期。

　　在截至1月29日的第四财季内，该公司GPU部门营收增长57%，达到18.5亿美元。该部门为英伟达贡献了超过3/4的总营收。

　　英伟达历来在高端PC游戏市场占据主导，很多玩家都会使用该公司的GPU来运行画质要求较高的游戏。数据中心业务仍然增长迅猛，营收增长两倍多，达到2.96亿美元。亚马逊AWS、微软Azure、阿里云都是该公司的客户。英伟达CFO柯莱特·克雷斯（Colette Kress）在电话会议上表示，这项业务还有望继续增长。

　　英伟达汽车业务营收第四财季增长37.6%，达到1.28亿美元。特斯拉就使用了英伟达出品的DRIVE PX 2无人驾驶系统。分析师此前预计该业务营收为1.353亿美元，

　　英伟达第四财季总营收从一年前的14亿美元增长到21.7亿美元，超出分析师21.1亿美元的平均预期。该公司当季净利润增长两倍多，达到6.55亿美元，折合每股收益0.99美元，超出分析师0.83美元的平均预期。英伟达股价过去12个月上涨近5倍，但该股周四在盘后交易中下跌1%，至115.21美元。

　　鸿海和转投资的夏普（Sharp）计划在美国兴建的液晶面板工厂落脚地点出炉了？据日媒报导，该座面板厂将坐落于宾州，且可能将生产中、大尺寸产品，但不会找苹果（Apple）合作投资。

　　日经新闻 10 日报导，鸿海和夏普已选定宾州做为计划兴建的液晶面板工厂落脚地点，且做为建厂的条件，鸿海、夏普向宾州要求土地、电费等方面提供优惠措施。据报导，液晶面板需要巨额投资，因此获得材料等厂商的协助是必要的，故鸿海、夏普今后会在评估获利性等因素后，就建厂一事做出最终决定。报导指出，若鸿海也兴建电视组装厂等工厂的线 万个就业机会。

　　日刊工业新闻 10 日报导，鸿海、夏普计划兴建的美国面板厂考虑生产中、大尺寸面板产品。夏普首脑 9 日表示，“考虑生产中尺寸或大尺寸产品，以应用于 B2B 显示器、电视、车用等用途。”

　　据报导，夏普计划在获得日本政府的认可后，向日本国内设备商、供应链寻求出资，计划以“日本联盟”的形式兴建上述液晶面板工厂，且夏普已向经济产业省传达上述“日本联盟”想法。另外，夏普首脑否认会找苹果合作兴建上述美国面板厂。

　　全球8寸晶圆代工厂忙得乐不可支。晶圆代工厂稼动率均在90%上下，相当于全稼动状态。因指纹识别传感器芯片的晶圆代工生产需求大幅提升，使晶圆代工订单大增。另伴随物联网（IoT）趋势，微控制器（MCU）、类比半导体的生产量也扩大。营收排名全球前十大纯晶圆代工厂的8寸晶圆厂稼动率，也刷新历年最高纪录。

　　韩国ET News引用市调机构资料指出，全球8寸晶圆生产厂的稼动率约为88%，是2000年代初期正式投资12寸晶圆以来的最高数字。韩国晶圆代工业界人士说明，一般5~7%产能会做为测试用途，工厂稼动率若在90%上下，已经可算是全稼动状态。报导称，2017、2018年8寸晶圆厂稼动率可能持续攀高。

　　8寸晶圆代工厂主要生产100~200纳米制程芯片，芯片面积较小、线幅宽的类比半导体或各种逻辑芯片、微处理器等，都是代表性的生产项目。自2016年起，大陆主要智能型手机制造商陆续在自家产品应用指纹识别技术，推动指纹识别芯片的生产需求大幅提高，使8寸晶圆厂稼动率快速上升。

　　以8寸晶圆代工服务为主要事业的东部高科（DongbuHiTek），2016年估计刷新了历年最高业绩纪录。营收和获利水平出现大幅年增。不仅是因晶圆代工市况畅旺，东部高科也积极与多元企业维持合作关系，促使业绩改善。

　　原本有意将产线出售给中芯国际的MagnaChip，因2016年市况好转，决定撤回产线出售计画，透过高附加价值产品群拓展投资组合。

　　三星电子（Samsung Electronics）自2016年展开开放性晶圆代工策略，成功获得韩国及海外IC设计企业订单，近来8寸晶圆代工厂稼动率约提升到70%。剩余的产能将用以因应确保追加客户，渐进式提高稼动率。

　　SK海力士（SKHynix）为提高清州8寸晶圆代工厂M8稼动率，正在寻找可行方案。2016年下半将影像传感器设计子公司Siliconfile的事业目标变更为晶圆代工设计公司。外界认为这是SK海力士为提高M8稼动率所做的整顿作业。

　　韩国蔚山国立科技大学（UNIST）的一个科研团队在传统肖特基半导体的金属和半导体材料之间插入石墨烯，制备出了一种新型的肖特基二极管，大大提高了二极管的性能。他们的研究成果有望解决近50年来一直悬而未决的肖特基半导体的金属-半导体接触电阻问题，在科学界中引起了广泛的关注。

　　韩国蔚山国立科技大学（UNIST）的一个科研团队利用石墨烯材料创造了一种新技术，大大提高了电子器件中使用的肖特基二极管（金属-半导体结）的性能。他们的研究成果有望解决近50年来一直悬而未决的肖特基半导体的金属-半导体接触电阻问题，在科学界中引起了广泛的关注。

　　该团队在传统肖特基半导体的金属和半导体材料之间插入了石墨烯，制备出了一种新型的肖特基二极管，这项新发明全面超越了现有技术，在促进半导体行业发展上被寄予厚望。

　　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

　　然而，由于肖特基半导体金属-半导体界面处的原子会产生混合，产生接触电阻，造成二极管的性能不能达到理想状态（当电压被施加正向偏置时，理想二极管用作完美导体，并且当电压被施加反向偏置时，理想二极管类似于完美的绝缘体）。接触电阻对于肖特基半导体的物理性能非常重要，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。

　　具有和不具有石墨烯插入层的Ni，Pt和Ti电极金属/ n-Si（001）结的电学性能测量结果对比

　　KibogPark教授通过在金属-半导体界面插入石墨烯层解决了这个问题。在研究中，研究团队证明，由单层碳原子组成的石墨烯层不仅可以基本上抑制金属和半导体材料混合，而且与理论预测很好地匹配。

　　Park教授说：“石墨烯片中的每个石墨烯层之间有一定的空间，具有量子力学层面的高电子密度，导致没有原子可以穿过。因此，利用夹在金属和半导体之间的这种单层石墨烯，可以克服原本不可避免的原子扩散问题。

　　该研究还证实了之前的理论预测，即“在硅半导体中，不论其使用的金属的类型，结表面的电性质几乎不改变，”，HoonHahn Yoon该项研究的第一作者说。

　　该研究还利用内部光电子发射方法测量新制造的金属/石墨烯/ n-Si（001）结二极管的电子能垒。上图所示的内部光电（IPE）测量系统对这些实验有很大贡献。这个系统由四位UNIST的研究生（Hoon HanYoon，Sungchul Jung，Gahyun Choi和Junhyung Kim）开发，作为本科研究项目的一部分在2012年进行，并得到韩国基础推进科学与创意（KOFAC）资助。

　　“我们承诺为客户提供支持所有功率转换过程的各种MOSFET技术，涵盖需要高压输入到低压输出的各种最新的电子系统”，Vishay市场发展部高级总监David Grey说到，“有了SiHP065N60E和即将发布的第四代600V E系列产品，我们就可以在设计电源系统架构的初期就实现提高效率和功率密度的目标，包括功率因数校正和随后的高压DC/DC转换器砖式电源。”

　　SiHP065N60E采用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造，在10V下的最大导通电阻为0.065Ω，栅极电荷低至49nC。器件的FOM为2.8Ω*nC，比同类最接近的MOSFET低25%。SiHP065N60E的有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别只有93pf和593pF，可改善开关性能。在通信、工业和企业电源系统的功率因数校正和硬开关DC/DC转换器拓扑中，这些性能参数意味着更低的传导和开关损耗。

　　今天发布的器件采用TO-220AB封装，符合RoHS，无卤素，可承受雪崩模式中的过压瞬变，而且保证限值通过了100% UIS测试。SiHP065N60E现可提供样品，在2017年1月实现量产，供货周期为十周。

　　VishayIntertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。